Silizium Gleichrichter Diode 1N4003

Silizium Gleichrichterdiode 1N 4003

Technische Daten:

• Nennstrom 1A
• periodische Spitzensperrspannung VRRM: 200V
• Kunststoffgehäuse DO-41
• Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
• Gewicht: 0,4g
• Stoßspitzensperrspannung VRSM: 200V
• Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Lat TA=100°C IFAV: 0,75A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
• Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Lat TA=75°C IFAV: 1A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
• Periodischer Spitzenstrom f>15Hz IFRM: 10A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
• Grenzlastintegral t>10ms TA=25°C i²t : 12,5 A²s
• Stoßstrom für eine 50Ht Sinus Halbwelle TA=25°C IFSM: 50A
• Sperrschicht- und Lagertemperatur Tj und Ts: -50°C - +175°C
• Durchlaßspannung Tj=25°C IF=1A VF: <1,1V
• Sperrstrom Tj =25°C VR=VRRM IR: <5 μA
• Sperrstrom Tj =100°C VR=VRRM IR: <50 μA
• Wärmewiderstand Sperrschit - umgebende Luft RthA:<45K/W (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)