Silizium Gleichrichterdiode 1N 4006
Technische Daten:
- Nennstrom 1A
- periodische Spitzensperrspannung VRRM: 800V
- Kunststoffgehäuse DO-41
- Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
- Gewicht: 0,4g
- Stoßspitzensperrspannung VRSM: 800V
- Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Lat TA=100°C IFAV: 0,75A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Lat TA=75°C IFAV: 1A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Periodischer Spitzenstrom f>15Hz IFRM: 10A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Grenzlastintegral t>10ms TA=25°C i²t : 12,5 A²s
- Stoßstrom für eine 50Ht Sinus Halbwelle TA=25°C IFSM: 50A
- Sperrschicht- und Lagertemperatur Tj und Ts: -50°C - +175°C
- Durchlaßspannung Tj=25°C IF=1A VF: <1,1V
- Sperrstrom Tj =25°C VR=VRRM IR: <5 μA
- Sperrstrom Tj =100°C VR=VRRM IR: <50 μA
- Wärmewiderstand Sperrschit - umgebende Luft RthA:<45K/W (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
