Silizium Gleichrichterdiode 1N 5408
Technische Daten:
- Nennstrom 3A
- periodische Spitzensperrspannung VRRM: 1000V
- Kunststoffgehäuse DO-201
- Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
- Gewicht: 1g
- Stoßspitzensperrspannung VRSM: 1000V
- Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Lat TA=50°C IFAV: 3A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Periodischer Spitzenstrom f>15Hz IFRM: 30A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Grenzlastintegral t>10ms TA=25°C i²t : 200A²s
- Stoßstrom für eine 50Ht Sinus Halbwelle TA=25°C IFSM: 200A
- Sperrschicht- und Lagertemperatur Tj und Ts: -50°C - +175°C
- Durchlaßspannung Tj=25°C IF=3A VF: <1,2V
- Sperrstrom Tj =25°C VR=VRRM IR: <10 μA
- Wärmewiderstand Sperrschit - umgebende Luft RthA:<25K/W (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
