Silizium Gleichrichter Diode BY255
Silizium Gleichrichter Diode BY255
Silizium Gleichrichterdiode BY 255
Technische Daten:
- Nennstrom 3A
- periodische Spitzensperrspannung VRRM: 1300V
- Kunststoffgehäuse DO-201
- Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
- Gewicht: 1g
- Stoßspitzensperrspannung VRSM: 1300V
- Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Lat TA=50°C IFAV: 3A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Periodischer Spitzenstrom f>15Hz IFRM: 20A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Grenzlastintegral t>10ms TA=25°C i²t : 50A²s
- Stoßstrom für eine 50Ht Sinus Halbwelle TA=25°C IFSM: 100A
- Sperrschicht- und Lagertemperatur Tj und Ts: -50°C - +175°C
- Durchlaßspannung Tj=25°C IF=3A VF: <1,1V
- Sperrstrom Tj =25°C VR=VRRM IR: <20 μA
- Wärmewiderstand Sperrschit - umgebende Luft RthA:<25K/W (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
Diotec Semiconductor AG
Kreuzmattenstrasse 4
79423 Heitersheim
Deutschland
Telefon: +49 (0) 7634 5266-0
E-Mail: mail@diotec.com
Internet: https://diotec.com
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