Silizium Gleichrichterdiode BY 299
Technische Daten:
- Nennstrom 3A
- periodische Spitzensperrspannung VRRM: 800V
- Kunststoffgehäuse DO-201
- Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
- Gewicht: 1g
- Stoßspitzensperrspannung VRSM: 800V
- Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Lat TA=50°C IFAV: 3A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Periodischer Spitzenstrom f>15Hz IFRM: 20A (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
- Grenzlastintegral t>10ms TA=25°C i²t : 50A²s
- Stoßstrom für eine 50Ht Sinus Halbwelle TA=25°C IFSM: 100A
- Sperrschichttemperatur Tj : -50°C - +150°C
- Lagertemperatur Ts: -50°C - +175°C
- Durchlaßspannung Tj=25°C IF=3A VF: <1,2V
- Sperrstrom Tj =25°C VR=VRRM IR: <10 μA
- durchlasverzug IF=100mA tfr: <1.0 μs
- Sperrverzugszeit IF = 0.5 A über IR = 1A auf IR = 0.25A trr: <500ns
- Wärmewiderstand Sperrschit - umgebende Luft RthA:<25K/W (gültig wenn die Anschlussdrähte 10mm abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden)
